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HN2E01F-B
 型号:  HN2E01F-B
 标记/丝印/代码/打字:  12B
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-163/SM6/SOT-26
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    三极管+二极管BJT AND DIODE
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HN2E01F-B 12B 的参数

三极管BJT类型 TYPE NPN
三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA
三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 2mA
三极管BJT管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 0.12~0.25V
二极管DIODE类型 TYPE 快恢复-单管 Fast Recovery Diode-Single
二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage 80V
二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current 100mA
二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf) 980mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features ? TOSHIBA MULTI CHIP DISCRETE DEVICE ? Super High Speed Switching Application Audio Frequency Amplifier Application General Switching Application Q1 ? Low Forward Voltage Drop : VF(3)=0.98V(typ.) ? Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(typ.) ? Low Total Capacitance : CT=0.5pF(typ.) Q2 ? High DC Current Gain : hFE=600~3600 ? High Voltage : VCEO=50V ? High Collector Current : IC=150mA(max.) ? Q1 (Diode) : 1SS352 Equivalent ? Q2 (Transistor) : 2SC4666 Equivalent
描述与应用 特点 ?东芝多芯片分立器件 ?超高速开关应用音频放大器应用通用开关应用 Q1 ?低正向压降VF(3)=0.98V(典型值) ?快速反向恢复时间:TRR =1.6ns(典型值) ?低总电容CT值为0.5pF(典型值) Q2 ?高DC电流增益:HFE=600?3600 ?高电压:VCEO= 50V ?高集电极电流IC=电流150mA(最大) ?Q1:1SS352当量(二极管) ?Q2(晶体管):相当于2SC4666
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