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HN2S01FU
 型号：  HN2S01FU
 标记/丝印/代码/打字：  A6
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/US6/SC70-6
 批号：  03+
 库存数量：  61000
 所属分类：  二极管Diodes
  肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes
    3个管独立式3 Independent
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HN2S01FU A6 的参数
反向电压Vr Reverse Voltage 10V
平均整流电流Io AVerage Rectified Current 100mA/0.1A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 500mV/0.5V
最大耗散功率Pd Power dissipation 200MW/0.2W
Description & Applications . Low Voltage High Speed Switching Application . HN2S01FU is composed of 3 independent Schottky Barrier diodes. . Low reverse current: VF = 0.23V (typ.) @IF = 5mA
描述与应用 .低压高速开关应用 .HN2S01FU是由3个独立的肖特基二极管并排。 .低反向电流：VF=0.23V（典型值）@ IF=5毫安
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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HN2S01FU A6 TOSHIBA 05+ SOT-363/US6/SC70-6 15000 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-3个管独立式3 Independent 查看
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