HSM2692TR B1 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
35V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
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| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
1.0V |
| 反向恢复时间Trr
Reverse Recovery Time |
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| 最大耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
? Silicon EpitAxiAl PlAnAr Diode for Tuner BAnd Switch ? Low forwArd resistAnce. (rf= 0.9 mAx) ? Low cApAcitAnce. (C = 1.2pFmAx) ? mPAK pAckAge is suitAble for high density surfAce mounting And high speed Assembly. |
| 描述与应用 |
?硅外延平面二极管调谐器波段开关 ?低正向电阻。（Rf= 0.9最大值） ?低电容。 （C=1.2pFmAx） ?mPAK包装是适合高密度表面安装和高速汇编。 |
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