HTT1127ERTL R 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
4V/6V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA/80mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
12000MHz/4000MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ?Silicon NPN Epitaxial Twin Transistor ?Include 2 transistors in a small size SMD package: SMFPAK–6(6 Leads: 1.2 x 0.8 x 0.5 mm) |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅外延双晶体管 ?包括2个晶体管在小尺寸SMD封装：SMFPAK-6（6引线: 1.2 x 0.8 x 0.5毫米） |
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