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HZM11NB2TR B2 112 的参数 |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小
min. |
10.76V |
平均
Typ. |
11V |
最大
max. |
11.22V |
误差
Tolerance |
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最大齐纳阻抗Zz(Ω)
Dynamic Impedance |
30Ω/ohm |
最大反向漏电流IR(uA)
Reverse Current |
2uA |
最大耗散功率Pd
Power dissipation |
200mW/0.2W |
Description & Applications |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
描述与应用 |
硅外延平面齐纳二极管 |
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在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
HZM11NB1T |
B1 111 |
HITACHI |
05+ |
SOT23-11V |
0 |
二极管Diodes-稳压二极管/齐纳二极管Zener Diodes-单管Single |
查看 |
HZM11NB2TR |
B2 112 |
HITACHI |
05+ROHS |
SOT23-11V |
0 |
二极管Diodes-稳压二极管/齐纳二极管Zener Diodes-单管Single |
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HZM11NB3TR |
B3 113 |
HITACHI |
05+ |
SOT23-11V |
0 |
二极管Diodes-稳压二极管/齐纳二极管Zener Diodes-单管Single |
查看 |
HZM11NB3 |
B3 113 |
HITACHI |
5+ |
SOT23-11V |
3000 |
二极管Diodes |
查看 |
HZM11NB1 |
B1 111 |
HITACHI |
05+ |
SOT23-11V |
6000 |
二极管Diodes |
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