IMD16 D16 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V/50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V/50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-500mA/100mA |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
2.2KΩ/Ohm |
| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
2.2KΩ/Ohm |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
1 |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
100KΩ/Ohm |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
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| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
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| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
Features ?Power management (dual digital transistors) ?Two digital class transistors in a SMT package. ?Up to 500mA can be driver. ?Low VCE (sat) of driver transistors for low power dissipation |
| 描述与应用 |
特点 ?电源管理（双数字晶体管） ?两个数字在SMT包装类晶体管。 ?高达500mA的驱动程序。 ?低VCE（sat）的低功耗驱动器晶体管。 |
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