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IPD09N03LAG
 型号:  IPD09N03LAG
 标记/丝印/代码/打字:  09N03A
 厂家:  INFINEON
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  07NOPB
 库存数量:  500
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IPD09N03LAG 09N03A 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 90A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.0032Ω/Ohm 60A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.2-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 115W
Description & Applications ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC1) for target applications ? N-channel, logic level ? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ? Superior thermal resistance ? 175 °C operating temperature ? Pb-free lead plating; RoHS compliant
描述与应用 ?非常适于高频DC / DC转换器 ?符合到JEDEC1) 针对目标应用 ?N沟道逻辑电平 ?优秀的栅极电荷x R DS(ON) 产品(FOM) ?卓越的热电阻 ?175°C的工作温度 ?无铅引脚电镀,符合RoHS
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