IRF5803TR G6 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-40V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
|
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3.4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.112Ω @-3.4A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge |
| 描述与应用 |
超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷 |
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