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IRF5810TR
 型号：  IRF5810TR
 标记/丝印/代码/打字：  K6
 厂家：  IR
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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IRF5810TR K6 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -12V
最大漏极电流Id Drain Current -2.9A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 135m?@ VGS = -2.5V, ID = -2.3A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45~-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 960mW/0.96W
Description & Applications Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用 超低导通电阻 双P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷
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