茂业电子---IRFR210BTF的库存详细介绍

型号：	IRFR210BTF
标记/丝印/代码/打字：	IRFR210B
厂家：	FAIRCHILD
封装：	TO-252/D-PAK
批号：	05+NOPB
库存数量：	50
所属分类：	场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IRFR210BTF IRFR210B 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current	2.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	1.5Ω/Ohm @1350mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	2.5W
Description & Applications	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supply and motor control. ? 2.7A, 200V, RDS(on) = 1.5? @VGS = 10 V ? Low gate charge ( typical 7.2 nC) ? Low Crss ( typical 6.8 pF) ? Fast switching ? 100% avalanche tested ? Improved dv/dt capability
描述与应用	200V N沟道MOSFET 概述这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面的，DMOS技术。这种先进的技术，特别是针对已尽量减少对通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。这些器件非常适用于高效率开关DC/ DC转换器，开关电源，DC-AC转换器，不间断电源和电机控制。?2.7A，200V，RDS上） =1.5Ω@ VGS= 10 V ?低栅极电荷（典型7.2nC） ?低Crss（典型6.8 pF） ?快速开关 ?100％雪崩测试 ?改进的dv / dt能力
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