IRLML6402TR EC/E4/E1/EB/E7/E3 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3.7A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.065Ω @-3.7A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.40--0.95V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching |
| 描述与应用 |
超低导通电阻 P沟道MOSFET SOT-23的脚印 薄型（高度<1.1mm） 可在磁带和卷轴 快速切换 |
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