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IRLMS1503 2B0H 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.100Ω/Ohm @2.2A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.7W |
| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| IRLMS1503 |
2B0H |
IR |
07+3Knopb |
SOT-163/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRLMS1503TR |
B5A |
IR |
07+ROHS3KM |
SOT-163/TSOP-6 |
13400 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRLMS5703TR |
2D7U |
IR |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
2500 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| IRLMS6802TR |
2EO/E5 |
IR |
04+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
1400 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| IRLMS1902TR |
2A2 |
IR |
02+ |
SOT-163/TSOP-6 |
2900 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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