KRC404V ND 的参数 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
|
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
47KΩ/Ohm |
基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ/Ohm |
电阻比(R1/R2)
Resistance Ratio |
1 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80-200 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.1W/100mW |
Description & Applications |
FEATURES SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. High Packing Density |
描述与应用 |
特性 开关中的应用。 接口电路和驱动电路应用。 内置偏置电阻器。 简化电路设计。 减少了部件数量和制造工艺。 高密度封装 |
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