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KRC837E
 型号：  KRC837E
 标记/丝印/代码/打字：  Y4
 厂家：  KEC
 封装：  SOT-563/TES6
 批号：  05+
 库存数量：  4500
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+NPN
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KRC837E Y4 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 2.2KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 2.2KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Features ?EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR ?INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. ?With Built-in Bias Resistors. ?Simplify Circuit Design. ?Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. ?High Packing Density
描述与应用 特点 ?外延平面PNP晶体管 ?接口电路和驱动器电路中的应用。 ?内置偏置电阻器。 ?简化电路设计。 ?减少了部件数量和制造工艺。 ?高密度封装
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