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KST42
 型号：  KST42
 标记/丝印/代码/打字：  1D
 厂家：  SAMSUNG
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  00+
 库存数量：  6290
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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KST42 1D 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 300V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 300V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 50MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 40
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 500mV/0.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications High Voltage Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor
描述与应用 高电压晶体管 NPN外延硅晶体管
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