KST5551MTF G1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
160V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA/0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/0.2V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
Amplifier Transistor ? Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V ? Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW |
| 描述与应用 |
晶体管放大器 ?集电极 - 发射极电压VCEO=160V ?集电极耗散功率：PC（最大值）=350MW |
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