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KTA501U-GR
 型号：  KTA501U-GR
 标记/丝印/代码/打字：  S6
 厂家：  KEC
 封装：  SOT-353/USV
 批号：  05+NOPB2800
 库存数量：  7450
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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KTA501U-GR S6 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -150mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 80MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 120~400
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -100mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 200mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ?EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR ?A super-minimold package houses 2 transistor. ?Excellent temperature response between these 2 transistor. ?High pairing property in hFE. ?The follwing characteristics are common for Q1, Q2 ?GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION.
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?外延平面PNP晶体管 ?超小型模具包设有2个晶体管。 ?优秀的温度响应之间这2个晶体管。 ?高配对财产HFE。 ?在以下的特性是共同为Q1，Q2 ?通用应用。开关中的应用。
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
描述与应用
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