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MCH6622
 型号：  MCH6622
 标记/丝印/代码/打字：  FW
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-363/SC70-6/MCPH6
 批号：  05+
 库存数量：  30
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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MCH6622 FW 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 10A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 900m?@ VGS =4V, ID =300mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4~1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 800mW/0.8W
Description & Applications General-Purpose Switching Device Applications Features ? Low ON-resistance. ? Ultrahigh-speed switching. ? 4V drive. ? Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
描述与应用 通用开关设备应用 特点 ?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?4V驱动器。 ?复合型2包含在一个单一的包装，促进高密度安装MOSFET。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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