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ME6N10
 型号：  ME6N10
 标记/丝印/代码/打字：  6N10
 厂家：  NIHON
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  1750
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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ME6N10 6N10 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.25Ω/Ohm @3A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.5-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications
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