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MGSF3433VT1
 型号：  MGSF3433VT1
 标记/丝印/代码/打字：  3T
 厂家：  MOTOROLA
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
 批号：  05+
 库存数量：  1600
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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MGSF3433VT1 3T 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -5.6A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 34m?@ VGS = -4.5V, ID = -5.6A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45V~-0.85V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用 P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET
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