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MGSF3441VT1
 型号：  MGSF3441VT1
 标记/丝印/代码/打字：  PT
 厂家：  ON
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
 批号：  05+
 库存数量：  800
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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MGSF3441VT1 PT 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -0.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.078 @-3A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.45V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications low Rds small-signal MOSFETs TMOS single P-CHANNEL field effect transistors Low Rds provides higher efficienccy and extends battery life miniature TSOPE6 surface mount package saves board space
描述与应用 低Rds小信号MOSFET TMOS单P沟道 场效应晶体管 低RDS提供了更高的的efficienccy，并延长电池寿命 TSOPE6微型表面贴装封装，节省了电路板空间
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