MMBT5551LT G1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
160V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA/0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
20~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV~250mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
High Voltage Transistors NPN Silicon ? Pb?Free Packages are Available |
| 描述与应用 |
高电压晶体管 NPN硅 无铅包可用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
