MMBTA44L 3DL 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
500V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
400V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
300mA/0.3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50Mhz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
400mV~750mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
High Voltage Transistors *Collector-Emitter voltage: VCEO=400V (UTC MMBTA44) VCEO=350V (UTC MMBTA45) *Collector current up to 300mA *Complement to UTC MMBTA94/93 *Power Dissipation: PD(max)=350mW |
| 描述与应用 |
高电压晶体管 *集电极 - 发射极电压VCEO= 400V（UTC MMBTA44） ????????????????????????????????????????????????VCEO=350V（MMBTA45 UTC）， *集电极电流高达300mA *补充UTC MMBTA94/93的 *功耗：PD（最大）=350MW |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
