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MRF1047T1
 型号：  MRF1047T1
 标记/丝印/代码/打字：  WB
 厂家：  ON
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  3000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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MRF1047T1 WB 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 12V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 45mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 12Ghz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~300
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications ? NPN Silicon low noise, RF TRANSISTOR ? Low Noise Figure, NFmin = 1.0 dB (Typ) @1.0 GHz, 3.0 V and 3.0 mA ? High Current Gain–Bandwidth Product, fτ = 12 GHz, 3.0 V @ 15 mA ? Maximum Stable Gain, 17 dB @ 1.0 GHz, 3.0 V and 10 mA ? Output Third Order Intercept, OIP3 = 26 dBm @ 1.0 GHz 3.0 V and 15 mA ? Fully Ion–Implanted with Gold Metallization and Nitride Passivation
描述与应用 ?NPN硅低噪声，射频晶体管 ?低噪声系数的NFmin= 1.0分贝（典型值）的1.0 GHz，3.0 V和3.0 MA ?高电流增益带宽积，Fτ?=12 GHz时，3.0 V@15毫安 ?最大稳定增益，17 dB@1.0主频，3.0 V和10毫安 ?输出三阶截，OIP3=26 dBm@1.0 GHz的3.0 V和15毫安 ?全镀金氮化硅钝化离子注入
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