MSD602-RT1 WR 的参数 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~240 |
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
Description & Applications |
NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |
描述与应用 |
NPN通用放大器 晶体管表面贴装 |
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