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MUN5215DW1T1
 型号：  MUN5215DW1T1
 标记/丝印/代码/打字：  7E
 厂家：  ON
 封装：  SOT-363/SC-88/SC70-6
 批号：  04+
 库存数量：  1900
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+NPN
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MUN5215DW1T1 7E 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio ∞
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio ∞
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 350
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 310mW/0.31W
Description & Applications Features ?Dual Bias Resistor Transistors ?NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network ?Simplifies Circuit Design ?Reduces Board Space ?Reduces Component Count ?The SC?70/SOT?323 package can be soldered using wave or reflow.The modified gull?winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. ?Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. ?Pb?Free Packages are Available
描述与应用 特点 ?双偏置电阻晶体管 ?NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 ?简化电路设计 ?缩小板级空间 ?减少了元件数量SC-70/SOT-323包装可以使用波或回流焊接。修改后的鸥翅引线过程中吸收热应力除焊接的模具损坏的可能性。 ?可在8 mm压纹带和卷轴。使用设备号到责令7 inch/3000的单位卷轴。 ?无铅包可用
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