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MUN5333DW1T1
 型号：  MUN5333DW1T1
 标记/丝印/代码/打字：  334
 厂家：  ON
 封装：  SOT-363/SC-88/SC70-6
 批号：  03+
 库存数量：  2000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+PNP
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MUN5333DW1T1 334 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V/50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V/50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 4.7KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 0.1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 4.7KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 0.1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications Features ?Dual Bias Resistor Transistors ?NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network ?Simplifies Circuit Design ?Reduces Board Space ?Reduces Component Count ?Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel ?These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
描述与应用 特点 ?双偏置电阻晶体管 ?NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 ?简化电路设计 ?缩小板级空间 ?减少元件数 ?8毫米，7 inch/3000单位带和卷轴 ?这些器件是无铅，无卤/ BFR免费，并符合RoHS标准
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MUN5316DW1T1 16 ON 04+ROHS9KM SOT-363/SC-88/SC70-6 15000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor-NPN+PNP 查看
MUN5316DWT1G 16 ON 05+3RNOPB SOT-363/SC-88/SC70-6 0 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor-NPN+PNP 查看
MUN5333DW1T1 334 ON 03+ SOT-363/SC-88/SC70-6 2000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor-NPN+PNP 查看
MUN5335DW 35 ON 05+ROHS18KM SOT-363/SC-88/SC70-6 77400 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor-NPN+PNP 查看
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SSV1MUN5313DWT1/13 13 MOTOROLA 05+ SOT-363/SC-88/SC70-6 0 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor-NPN+PNP 查看
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