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NDS0605
 型号：  NDS0605
 标记/丝印/代码/打字：  65D
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  60
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NDS0605 65D 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -180mA/-0.18A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1.0Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1--3V
耗散功率Pd Power Dissipation 360mW/0.36W
Description & Applications FEATURES ? 4.5 V drive available ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 72 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?2.0 A) RDS(on)2 = 105 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?2.0 A) ? Built-in gate protection diode
描述与应用 ?4.5 V可驱动 ?低通态电阻 的RDS（on）1 =72mΩ最大。（VGS= -10 V，ID= -2.0?） 的RDS（on）=105mΩ最大。 VGS= -4.5 V，ID= -2.0） ?内置栅极保护二极管
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