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NDS356P
 型号：  NDS356P
 标记/丝印/代码/打字：  356
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NDS356P 356 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -1.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.3Ω @-1.1A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.8--2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT TM-3 design for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.
描述与应用 行业标准外形SOT-23表面贴装封装 使用专有SuperSOT 设计卓越的TM-3 热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
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