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NE34018
 型号：  NE34018
 标记/丝印/代码/打字：  V64
 厂家：  NEC
 封装：  sot-343/sc70-4
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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NE34018 V64 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 4V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 3V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.2--2V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET NE34018 is a n-channel HJ-FET housed in MOLD package. Low noise figure NF = 0.6 dB TYP. at f = 2 GHz High associated gain Ga = 16 dB TYP. at f = 2 GHz Gate width: Wg = 400 Pm 4 pins super mini mold Tape & reel packaging only available
描述与应用 L到S波段低噪声放大器 N沟道HJ-FET NE34018是n沟道HJ-FET坐落在模具包。 低噪声系数 NF=0.6 dB典型值。在f =2吉赫 高相关的收益 GA =16 dB（典型值）在f =2吉赫 门宽度：WG =400分 4引脚超小型模具 唯一可用的磁带和卷轴包装
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