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NTD23N03RT4
 型号:  NTD23N03RT4
 标记/丝印/代码/打字:  N03
 厂家:  ON
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  04+
 库存数量:  348
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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NTD23N03RT4 N03 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 3.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.045Ω/Ohm @6A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 22.3W
Description & Applications Power MOSFET 23 A, 25 V, N?Channel DPAK N-Channel DPAK Features ? Planar HD3e Process for Fast Switching Performance ? Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss ? Low Ciss to Minimize Driver Loss ? Low Gate Charge ? Optimized for High Side Switching Requirements in High-Ef ficiency DC-DC Converters
描述与应用 功率MOSFET 23 A,25 V,N沟道DPAK ?的平面HD3e过程快速开关性能 ?低的RDS(on) 减少传导损耗 ?低西塞 最小化驱动器损失 ?低栅极电荷 ?优化高侧开关的要求 高效率的DC-DC转换器
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