NTJD4401NT1 TDX 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
630mA/0.63A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
445m?@ VGS =2.5V, ID =400mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
270mW/0.27W |
| Description & Applications |
Small Signal MOSFET Features ? Small Footprint (2 x 2 mm) ? Low Gate Charge N?Channel Device ? ESD Protected Gate ? Same Package as SC?70 (6 Leads) ? Pb?Free Packages are Available Applications ? Load Power switching ? Li?Ion Battery Supplied Devices ? Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs ? DC?DC Conversion |
| 描述与应用 |
小信号MOSFET 特点 ?小底印（2×2毫米） ?低栅极电荷的N沟道器件 ?ESD保护门 ?同一个包SC-70（6引线） ?无铅包可用 应用 ?负载电源开关 ?锂离子电池提供的设备 ?手机，媒体播放器，数码相机，掌上电脑 ?DC-DC转换 |
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