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NTZD3154NT1G
 型号：  NTZD3154NT1G
 标记/丝印/代码/打字：  TV
 厂家：  ON
 封装：  SOT-563
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  5406
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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NTZD3154NT1G TV 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6V
最大漏极电流Id Drain Current 540mA/0.54A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 900m?@ VGS =1.8V, ID =350mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.45~1V
耗散功率Pd Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications Small Signal MOSFET Features ? Low RDS(on) Improving System Efficiency ? Low Threshold Voltage ? Small Footprint 1.6 x 1.6 mm ? ESD Protected Gate ? These are Pb?Free Devices Applications ? Load/Power Switches ? Power Supply Converter Circuits ? Battery Management ? Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc
描述与应用 小信号MOSFET 特点 ?低RDS（ON）提高系统效率 ?低阈值电压 ?小尺寸1.6×1.6毫米 ?ESD保护门 ?这些都是Pb-Free设备 应用 ?负载/功率开关 ?电源转换器电路 ?电池管理 手机，数码相机，掌上电脑，传呼机等
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