PRF949 VO 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
1GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
180mW/0.18W |
| Description & Applications |
UHF wideband transistor FEATURES ? Small size ? Low noise ? Low distortion ? High gain ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS ? Communication and instrumentation systems. DESCRIPTION Silicon NPN transistor in a surface mount 3-pin SOT416 (SC75) package. The transistor is primarily intended for wideband applications in the GHz-range in the RF front end of analog and digital cellular telephones, cordless phones, radar detectors, pagers and satellite TV-tuners. |
| 描述与应用 |
UHF宽带晶体管 特点 ?小尺寸 ?低噪音 ?低失真 ?高增益 ?黄金金属确保卓越的可靠性。 应用 ?通信和仪器仪表系统。 说明 硅NPN晶体管在一个表面贴装3引脚SOT416 （SC75）封装。晶体管主要用于 在GHz范围的宽带应用在RF前端 模拟和数字蜂窝电话，无绳结束 电话，雷达的探测器，传呼机和卫星电视的-调谐器。 |
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