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PBSS4320T
 型号:  PBSS4320T
 标记/丝印/代码/打字:  ZG
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  06nopb
 库存数量:  300
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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PBSS4320T ZG 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 220
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 70mV~310mV
耗散功率Pc Power Dissipation 1.2W
Description & Applications 20 V NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat ? High collector current capability ? High collector current gain ? Improved efficiency due to reduced heat generation. APPLICATIONS ? Power management applications ? Low and medium power DC/DC convertors ? Supply line switching ? Battery chargers ? Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package
描述与应用 20 V NPN低VCEsat(BISS)晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 ?和 相应的低RCEsat的 ?高集电极电流能力 ?高集电极电流增益 ?由于产生的热量减少,提高了效率。 应用 ?电源管理应用 ?低功率和中功率DC/ DC转换器 ?供电线路开关 ?电池充电器 ?线性电压调节,低电压降 (LDO)。 说明 NPN低VCEsat ?在SOT23塑料封装晶体管
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