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PDTC123JT
 型号：  PDTC123JT
 标记/丝印/代码/打字：  P25
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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PDTC123JT P25 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW
Description & Applications FEATURES ? Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k respectively) ? Simplification of circuit design ? Reduces number of components and board space
描述与应用 特性 ?内置偏置电阻R1和R2（典型值2.2和47 k） ?简化电路设计 ?减少元件数量和电路板空间
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