PMBTA56 W2G 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-250mV/-0.25V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
PNP general purpose transistor FEATURES ? High current ? Low voltage APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification, e.g. telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION PNP transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PMBTA06. |
| 描述与应用 |
PNP通用晶体管 特点 ?高电流 ?低电压 应用 ?通用开关和放大，如电话和专业的通信设备。 说明 PNP晶体管在SOT23塑料包装。 NPN补充：PMBTA06。 |
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