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QS5K2
 型号：  QS5K2
 标记/丝印/代码/打字：  K02
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-153/SOT23-5/TSMT5
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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QS5K2 K02 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 154m?@ VGS =2.5V, ID =2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET Features Low On-resistance. Space saving, small surface mount package (TSMT5). Applications Switching
描述与应用 2.5V驱动N沟道+ N沟道MOSFET 特点 低导通电阻。 节省空间，小型表面贴装封装（TSMT5）。 应用 交换
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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