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RN1105
 型号：  RN1105
 标记/丝印/代码/打字：  XE
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-523/ESM
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  355300
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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RN1105 XE 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.1W/100mW
Description & Applications Features Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2105
描述与应用 特性 开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用 具有内置的偏置电阻 简化电路设计 数量减少了零件和制造工艺 对管RN2105
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