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RN1544-A
 型号：  RN1544-A
 标记/丝印/代码/打字：  44A
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-153/SMV/SOT23-5
 批号：  05+
 库存数量：  27000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+NPN
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RN1544-A 44A 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 300mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~700
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 30MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) ? For use in Muting and Switching Applications ? Emitter-base voltage is high: VEBO = 25 V (max) ? Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save assembly cost.
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT进程）（偏置电阻内置晶体管）用于静音和开关应用 ?发射极基极电压高：VEBO=25 V（最大值） ?将偏置电阻晶体管，减少了部件数量。减少零件数，使制造更加紧凑的设备和节省组装成本
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