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RN1611
 型号：  RN1611
 标记/丝印/代码/打字：  XM
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-163/SM6/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  81000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+NPN
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RN1611 XM 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~700
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) ? Including two devices in SM6 (super-mini-type with six (6) leads) ? With built-in bias resistors ? Simplified circuit design ? Reduced number of parts and manufacturing process ? Complementary to RN2610 to RN2611 APPLICATIONS ? Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程）（偏置电阻内置晶体管）包括两个设备在SM6（超迷你型六（6）导致） ?借助内置的偏置电阻 ?简化电路设计 ?数量减少零部件和制造工艺 ?互补RN2610 RN2611 应用 ?开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用
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