RT5P136C-T12-1 P6 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
|
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
SILICON PNP EPITAXIAL TYPE For switching applications FEATURE High collector current MIni package for mounting APPLICATION Inverted circuit,switching circuit,interface circuit,driver circuit |
| 描述与应用 |
硅PNP外延型 为开关应用 特写 高集电极电流 迷你安装包 应用 倒电路，开关电路，接口电路，驱动电路 |
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