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S-1170B33PD
 型号：  S-1170B33PD
 标记/丝印/代码/打字：  OTS
 厂家：  SEIKO
 封装：  6-Pin HSON(A)
 批号：  05+
 库存数量：  54
 所属分类：  电源管理ICPower Management IC/PMIC
  电压调整器/稳压Voltage Regulator
    低压差LDOLow Dropout (LDO)
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S-1170B33PD OTS 的参数
电路数量 Number of Regulators 1
输入电压VIN Voltage - Input 0.3~7V
输出电压VOUT Voltage - Output 3.3V
输出电流Io Current - Output 300mA/0.3A
最大压降VDO Voltage - Dropout 150mV/0.15V
带使能脚EN/CE(ON/OFF功能) With Enable Pin 有 Yes
最大耗散功率Pd Power dissipation
Description & Applications HIGH RIPPLE-REJECTION AND LOW DROPOUT HIGH OUTPUT CURRENT CMOS VOLTAGE REGULATOR ;?Output voltage: 1.5 V to 5.5 V, selectable in 0.1 V steps. ? High-accuracy output voltage: ±1.0% ? Low dropout voltage: 120 mV typ. (3.0 V output product, IOUT = 300 mA) ? Low current consumption: During operation: 80 μA typ., 160 μA max. During shutdown: 0.1 μA typ., 1.0 μA max. ? High current capability: 800 mA output is possible (at VIN ≥ VOUT(S) + 1.0 V) ? Built-in ON/OFF circuit: Ensures long battery life. ? Low ESR capacitor can be used: A ceramic capacitor of 4.7 μF or more can be used for the output capacitor. ? High ripple rejection: 70 dB typ. (at 1.0 kHz) ? Built-in overcurrent protector: Overcurrent of output transistor can be restricted. ? Built-in thermal shutdown circuit: Damage caused by heat can be prevented.
描述与应用 高纹波抑制率低压差 高输出电流CMOS电压稳压器;?输出电压：1.5 V至5.5 V，0.1 V步骤选择。 ?高输出电压精度：±1.0％ ?低压差电压：120 mV典型。 （3.0 V输出产品，IOUT= 300 mA时） ?低电流消耗：在操作过程中：80μA（典型值），最大160μA。 休眠时：0.1μA（典型值），1.0μA最大值。 ?高电流能力：800 mA输出是可能的（在VIN≥VOUT（S）+1.0 V） ?内置开/关控制电路，确保电池寿命长。 ?可以使用低ESR电容：4.7μF以上的陶瓷电容器可用于输出电容。 ?高纹波抑制：70 dB（典型值）。 （1.0千赫） ?内置过载电流保护：可以限制输出晶体管的过载电流。 ?内置热关断电路：由热所造成的损害是可以预防的。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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