SBFP420M MB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
4.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
35mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
25GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Features ? NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ? Low noise : NF=1.1dB typ (f=1.8GHz). ? High cut-off frequency : fT=20GHz typ (VCE=1V).: fT=25GHz typ (VCE=3V). ? Low voltage operation. ? High Gain : ?S21e?2=17dB typ (f=1.8GHz). ? Ultrasmall (1006 size), thin (0.5mm) leadless package. ? UHF to C Band Low Noise Amplifier,Low Phase Noise Oscillation Applications |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN平面外延硅晶体管 ?低噪音：NF=1.1分贝典型值（F =1.8GHz的）。 ?高截止频率：FT =20GHz的典型值（VCE=1V）。：FT=25GHz的典型（VCE=3V）。 ?低电压操作。 ?高增益：?S21E?2=17分贝典型值（F =1.8GHz的）。 ?超小（1006尺寸），薄（0.5mm）的无铅封装。 ?UHF到C波段低噪声放大器，低相位噪声振荡应用 |
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