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SCH1411 KL 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
285m?@ VGS =4V, ID =0.5A |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1.2~2.6V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
Description & Applications |
General-Purpose Switching Device Applications Features ? Low ON-resistance. ? High-speed switching. ? 4V drive. |
描述与应用 |
通用开关设备应用 特点 ?低导通电阻。 ?高速开关。 ?4V驱动器。 |
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在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
SCH1305 |
JE |
SANYO |
05+ |
SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
600 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
SCH1311 |
JL |
SANYO |
04+ROHS |
SOT-563/SCH6 |
3000 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
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SCH1402 |
KB |
SANYO |
04+NOPB |
SOT-563/SCH6 |
1400 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
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SCH1410 |
KK |
SANYO |
05+ |
SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
65 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
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SCH1411 |
KL |
SANYO |
06NOPB |
SOT-563/SCH6 |
4800 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
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