SI1016X-T1 A 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V/-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
6V/6V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
485mA/-370mA |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
31.25?@ VGS =1.8V, ID =350mA/2.7?@ VGS =-1.8V, ID =-150mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.45~1V/-0.45~-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free Option Available ? Trench FET Power MOSFETs ? 2000 V ESD Protection ? Very Small Footprint ? High-Side Switching ? Low On-Resistance: N-Channel, 0.7 Ω P-Channel, 1.2 Ω ? Low Threshold: ± 0.8 V (Typ.) ? Fast Switching Speed: 14 ns ? 1.8 V Operation BENEFITS ? Ease in Driving Switches ? Low Offset (Error) Voltage ? Low-Voltage Operation ? High-Speed Circuits ? Low Battery Voltage Operation APPLICATIONS ? Replace Digital Transistor, Level-Shifter ? Battery Operated Systems ? Power Supply Converter Circuits ? Load/Power Switching Cell Phones, Pagers |
| 描述与应用 |
互补N和P沟道20-V（D-S）的MOSFET 特点 ??无卤股权 ??沟槽FET功率MOSFET ??2000 V ESD保护 ??非常小的足迹 ??高边开关 ??低导通电阻： ??N通道，0.7Ω ??P沟道1.2Ω ??低阈值：±0.8 V（典型值） ??开关速度快：14纳秒 ??1.8 V操作 福利 ??易于驱动开关。 ??低失调电压（错误） ??低电压工作 ??高速电路 ??低电池电压工作 应用 ??更换数字晶体管，电平转换器 ??电池供电系统 ??电源转换器电路 ??负载/功率开关手机，寻呼机 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
