SI1025X DVA 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-190mA/-0.19A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
8?@ VGS = -4.5V, ID = -25mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1~-3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free Option Available ? Trench FET Power MOSFETs ? High-Side Switching ? Low On-Resistance: 4 Ω ? Low Threshold: - 2 V (typ.) ? Fast Switching Speed: 20 ns (typ.) ? Low Input Capacitance: 23 pF (typ.) ? Miniature Package ? Gate-Source ESD Protected: 2000 V APPLICATIONS ? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,Memories, Transistors etc. ? Battery Operated Systems ? Power Supply Converter Circuits ? Solid State Relays |
| 描述与应用 |
P沟道60-V（D-S）的MOSFET 特点 ??无卤股权 ??沟槽FET功率MOSFET ??高边开关 ??低导通电阻：4Ω ??低阈值： - 2 V（典型值） ??开关速度快：20 ns（典型值） ??低输入电容23 PF（典型值） ??微型包装 ??门源ESD保护：2000 V 应用 ??驱动器：继电器，螺线管，灯，锤子，显示器，记忆，晶体管等。 ??电池供电系统 ??电源转换器电路 ??固态继电器 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
