SI1026X ET4v 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
305mA/0.305A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
1.4?@ VGS =10V, ID =500mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1~2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? Low On-Resistance ? Low Threshold ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input and Output Leakage ? ESD Protected ? Miniature Package ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,Memories, Transistors, etc. ? Battery Operated Systems ? Solid-State Relays |
| 描述与应用 |
N沟道60 V（D-S）的MOSFET 特点 ??无卤素根据IEC 61249-2-21定义 ??低导通电阻 ??低门槛 ??低输入电容 ??开关速度快 ??低输入和输出泄漏 ??ESD保护 ??微型包装 ??符合RoHS指令2002/95/EC 应用 ??驱动器：继电器，螺线管，灯，锤子，显示器，记忆，晶体管等。 ??电池供电系统 ??固态继电器 |
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