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SI1501DL
 型号：  SI1501DL
 标记/丝印/代码/打字：  RN
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  03+
 库存数量：  3000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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SI1501DL RN 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V/8V
最大漏极电流Id Drain Current 250mA/-180mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 2?@ VGS =4.5V, ID =250mA/3.8?@ VGS =-4.5V, ID =-180mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4~1.5V/-0.4~-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET
描述与应用 互补的20-V（D-S） 低阈值MOSFET
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