SI1902DL-T1-E3 PAB 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
660mA/0.66A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
630m?@ VGS =2.5V, ID =400mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
270mW/0.27W |
| Description & Applications |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Trench FET Power MOSFET |
| 描述与应用 |
双N沟道20-V（D-S）的MOSFET 特点 ??沟槽FET功率MOSFET |
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